logo logo

Тепловизионный модуль на основе фотоприемника на квантовых ямах

фотоприемник

В течение последних лет в КТИ ПМ СО РАН на базе матричного фотоприемника фирмы «Софрадир» с фоточувствительным слоем кадмий-ртуть-теллур разработан тепловизионный модуль с форматом кадра 320х256 элементов.
В это же время в ИФП СО РАН ведутся интенсивные работы по созданию охлаждаемых ИК фотоприемных матриц на основе гетероэпитаксиальных структур кадмий-ртуть-теллур и многослойных структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs получаемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Формат матричных ИК фотоприемников и их технические характеристики позволяют создавать матричные тепловизионные модули, аналогичные зарубежным. При этом принятая идеология построения тепловизионных приборов позволяет практически без изменений использовать разработанные ранее компоненты тепловизионного модуля на основе импортного фотоприемника.
В настоящей работе представлены результаты, полученные для тепловизионного модуля с охлаждаемым матричным ИК фотоприемником форматом 320х256 построенного на основе многослойных структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs с параметрами:
– шаг между элементами – 30 мкм;
– максимум спектральной чувствительности – 9,2 мкм;
– средняя пороговая облученность – 1,8·10-7Вт/см3;
– разброс вольтовой чувствительности – 20%;
– число дефектных элементов – 1,2%;
Основные параметры тепловизионного модуля:
– относительное отверстие оптической системы – 1:2;
– рабочая температура – 69 К;
– охлаждение – микрокриогенная система «сплит-стирлинг» с хладопроизводительностью – 1 Вт;
– температурное разрешение – 0,1 К;
– частота кадров – 50 Гц;
На основе полученных результатов намечены пути улучшения параметров тепловизионного модуля.

Журавлев П.В., Добровольский П.П., Шатунов К.П., Шашкин В.В., Овсюк В.Н., Марчишин И.В., Фатеев В.А.
Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники СО РАН, Новосибирск, Россия
1Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

Метки материала:

Похожие материалы:

bottom